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PD57060-E
Transistor FET RF, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
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| 10+ | 50,480 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantPD57060-E
Code Commande3129596
Fiche technique
Tension Vds max..65V
Courant de drain Id7A
Dissipation de puissance79W
Fréquence, fonctionnement min.-
Fréquence, fonctionnement max..1GHz
Type de boîtier de transistorPowerSO-10RF
Nombre de broches-
Température de fonctionnement max..165°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Tension Vds max..
65V
Dissipation de puissance
79W
Fréquence, fonctionnement max..
1GHz
Nombre de broches
-
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Courant de drain Id
7A
Fréquence, fonctionnement min.
-
Type de boîtier de transistor
PowerSO-10RF
Température de fonctionnement max..
165°C
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00042
Traçabilité des produits