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2SD1047
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Traversant
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. Fabricant2SD1047
Code Commande2629734
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max140V
Courant Collecteur Continu12A
Dissipation de puissance100W
Type de boîtier de transistorTO-3P
Montage transistorTraversant
Nombre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition20MHz
Gain de courant DC hFE Min50hFE
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a causé un allongement des délais, les dates de livraison peuvent fluctuer
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
12A
Type de boîtier de transistor
TO-3P
Nombre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min
50hFE
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
140V
Dissipation de puissance
100W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
20MHz
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.006804