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GD75HFU120C1SD
Module IGBT, Demi-pont, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Module
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 37,110 € |
| 5+ | 34,970 € |
| 10+ | 32,710 € |
| 50+ | 31,520 € |
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD75HFU120C1SD
Code Commande4312704
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Courant Collecteur Continu100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2.8V
Dissipation de puissance484W
Température de fonctionnement max..125°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTVis
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTNPT Ultra Fast IGBT
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2.8V
Température de fonctionnement max..
125°C
Borne IGBT
Vis
Technologie IGBT
NPT Ultra Fast IGBT
Gamme de produit
-
Courant Collecteur Continu
100A
Dissipation de puissance
484W
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.15