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GD600HFY120C6S
Module IGBT, Demi-pont, 1.09 kA, 2 V, 3.947 kW, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD600HFY120C6S
Code Commande2986070
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Fiche technique
Plus stocké
Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD600HFY120C6S
Code Commande2986070
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Courant de collecteur DC1.09kA
Courant Collecteur Continu1.09kA
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)2V
Tension de saturation Emetteur Collecteur2V
Dissipation de puissance Pd3.947kW
Dissipation de puissance3.947kW
Température, Tj max..150°C
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Technologie IGBTTrench Field Stop
Montage transistorPanneau
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
Les modules et les matrices IGBT Starpower fournissent une perte de conduction extrêmement faible ainsi qu'une robustesse de court-circuit. Ils sont conçus pour des applications telles que les onduleurs et les inverseurs généraux. Caractéristiques clés de la technologie Trench IGBT, température de jonction maximale 175°C et plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC.
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant Collecteur Continu
1.09kA
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2V
Dissipation de puissance
3.947kW
Température de fonctionnement max..
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Courant de collecteur DC
1.09kA
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
2V
Dissipation de puissance Pd
3.947kW
Température, Tj max..
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Technologie IGBT
Trench Field Stop
Gamme de produit
Compute Module 3+ Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.430912