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GD50PIY120C6SN
Module IGBT, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD50PIY120C6SN
Code Commande3912076
Fiche technique
Configuration IGBTPIM
Courant Collecteur Continu62A
Courant de collecteur DC62A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.7V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.7V
Dissipation de puissance218W
Dissipation de puissance Pd218W
Température d'utilisation Max.150°C
Température de jonction Tj Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Technologie IGBTTrench
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
PIM
Courant de collecteur DC
62A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.7V
Dissipation de puissance Pd
218W
Température de jonction Tj Max.
150°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Courant Collecteur Continu
62A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.7V
Dissipation de puissance
218W
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Technologie IGBT
Trench
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.2