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GD50PIX65C5S
Module IGBT, Redresseur d'entrée triphasé PIM, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD50PIX65C5S
Code Commande3549262
Fiche technique
Configuration IGBTRedresseur d'entrée triphasé PIM
Courant de collecteur DC72A
Courant Collecteur Continu72A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Dissipation de puissance148W
Dissipation de puissance Pd148W
Température de jonction Tj Max.150°C
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo650V
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Technologie IGBTTrench Field Stop
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration IGBT
Redresseur d'entrée triphasé PIM
Courant Collecteur Continu
72A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance Pd
148W
Température d'utilisation Max.
150°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Montage transistor
Panneau
SVHC
To Be Advised
Courant de collecteur DC
72A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance
148W
Température de jonction Tj Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
650V
Technologie IGBT
Trench Field Stop
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.825