Imprimer la page
GD50HFX65C1S
Module IGBT, Demi-pont, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
16 En Stock
24 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 32,430 € |
| 5+ | 30,090 € |
| 10+ | 27,340 € |
| 50+ | 26,350 € |
| 100+ | 25,430 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
32,43 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD50HFX65C1S
Code Commande3912062
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Courant Collecteur Continu75A
Courant de collecteur DC75A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Dissipation de puissance Pd205W
Dissipation de puissance205W
Température de jonction Tj Max.150°C
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo650V
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Technologie IGBTTrench
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant de collecteur DC
75A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance
205W
Température d'utilisation Max.
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Courant Collecteur Continu
75A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance Pd
205W
Température de jonction Tj Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
650V
Technologie IGBT
Trench
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.15