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GD200HFY120C8S
Module IGBT, Demi-pont, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD200HFY120C8S
Code Commande3549243
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Courant de collecteur DC309A
Courant Collecteur Continu309A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.7V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.7V
Dissipation de puissance Pd1.006kW
Dissipation de puissance1.006kW
Température de jonction Tj Max.150°C
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Technologie IGBTTrench Field Stop
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant Collecteur Continu
309A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.7V
Dissipation de puissance
1.006kW
Température d'utilisation Max.
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
To Be Advised
Courant de collecteur DC
309A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.7V
Dissipation de puissance Pd
1.006kW
Température de jonction Tj Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Technologie IGBT
Trench Field Stop
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.3