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DG75X12T2
IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Broche(s)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantDG75X12T2
Code Commande3790245
Gamme de produitDOSEMI Trench
Fiche technique
Disponible sur commande
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 12,160 € |
| 5+ | 9,200 € |
| 10+ | 7,590 € |
| 50+ | 6,950 € |
| 100+ | 6,500 € |
| 250+ | 6,340 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
12,16 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantDG75X12T2
Code Commande3790245
Gamme de produitDOSEMI Trench
Fiche technique
Courant Collecteur Continu150A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.75V
Dissipation de puissance1.415kW
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Type de boîtier de transistorTO-247 Plus
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitDOSEMI Trench
MSL-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
150A
Dissipation de puissance
1.415kW
Type de boîtier de transistor
TO-247 Plus
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
DOSEMI Trench
SVHC
To Be Advised
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.75V
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
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Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.01