Imprimer la page
SKHI 22A H4 R
Driver IGBT, Demi-Pont, 8 A, 14.4 V à 15.6 Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKHI 22A H4 R
Code Commande2423646
Gamme de produitSEMIDRIVER Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 159,500 € |
| 5+ | 150,340 € |
| 10+ | 140,590 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
159,50 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKHI 22A H4 R
Code Commande2423646
Gamme de produitSEMIDRIVER Series
Fiche technique
Configuration IGBTDouble [Demi-pont]
Courant Collecteur Continu-
Configuration DriverDemi-pont
Tension de saturation Emetteur Collecteur-
Dissipation de puissance-
Type commutateur de puissanceIGBT
Température de fonctionnement max..85°C
IC Boîtier/PaquetModule
Type de boîtier de transistorCMS
Borne IGBTA souder
Tension Collecteur Emetteur Max1.7kV
Technologie IGBT-
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produitSEMIDRIVER Series
Tension, alimentation min.14.4V
Tension, alimentation max..15.6V
Température d'utilisation min-40°C
Délais d'entrée1µs
Délais de sortie1µs
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Aperçu du produit
SKHI 22A H4 R is a SEMIDRIVER™ hybrid dual IGBT driver. It is used for IGBT modules in bridge circuits in industrial applications.
- Compatible to old SKHI 22, turn on gate voltage output is 15V typical
- CMOS compatible inputs, turn off gate voltage output is -7V typical
- Short protection by VCE monitoring and switch off
- Drive interlock top/bottom, internal gate emitter resistance is 22Kohm typical
- Isolation by transformers, input to output turn on propagation time is 1µs typical
- Supply undervoltage protection (13V)
- Error latch/output, error reset time is 9µs typical
- Supply voltage primary side is 15V typical
- Supply current primary side (no load) is 80mA typical
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Double [Demi-pont]
Configuration Driver
Demi-pont
Dissipation de puissance
-
Température de fonctionnement max..
85°C
Type de boîtier de transistor
CMS
Tension Collecteur Emetteur Max
1.7kV
Montage transistor
Montage en surface
Tension, alimentation min.
14.4V
Température d'utilisation min
-40°C
Délais de sortie
1µs
Courant Collecteur Continu
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
-
Type commutateur de puissance
IGBT
IC Boîtier/Paquet
Module
Borne IGBT
A souder
Technologie IGBT
-
Gamme de produit
SEMIDRIVER Series
Tension, alimentation max..
15.6V
Délais d'entrée
1µs
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.061991
Traçabilité des produits