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SCT4062KEHRC11
MOSFET en carbure de silicium, AEC-Q101, Simple, Canal N, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT4062KEHRC11
Code Commande4064772
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id26A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.062ohm
Type de boîtier de transistorTO-247N
Nbre de broches3Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max4.8V
Dissipation de puissance115W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
26A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.062ohm
Nbre de broches
3Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.8V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-247N
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
115W
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits