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RSQ015P10FRATR
MOSFET de puissance, Canal P, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,090 € |
| 10+ | 0,761 € |
| 100+ | 0,590 € |
| 500+ | 0,427 € |
| 1000+ | 0,367 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRSQ015P10FRATR
Code Commande2764547
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id1.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.47ohm
Type de boîtier de transistorSOT-457T
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance1.25W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produits de remplacement pour RSQ015P10FRATR
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Aperçu du produit
Remarques
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
1.5A
Type de boîtier de transistor
SOT-457T
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.25W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.47ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000062
Traçabilité des produits