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RRQ045P03HZGTR
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,766 € |
| 500+ | 0,607 € |
| 1000+ | 0,522 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRRQ045P03HZGTR
Code Commande3702536RL
Fiche technique
Polarité transistorCanal P
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id4.5A
Résistance Rds(on)0.025ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.025ohm
Type de boîtier de transistorTSMT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance1.25W
Dissipation de puissance Pd1.25W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal P
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Rds(on)
0.025ohm
Type de boîtier de transistor
TSMT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.25W
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
4.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.025ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance Pd
1.25W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.005577