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RD3L01BATTL1
MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,611 € |
| 500+ | 0,491 € |
| 1000+ | 0,453 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRD3L01BATTL1
Code Commande3639761RL
Fiche technique
Type de canalCanal P
Polarité transistorCanal P
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id10A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.065ohm
Résistance Rds(on)0.065ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance26W
Dissipation de puissance Pd26W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.065ohm
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
26W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
Polarité transistor
Canal P
Courant de drain Id
10A
Résistance Rds(on)
0.065ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance Pd
26W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536