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RD3G07BATTL1
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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|---|---|
| 5+ | 2,590 € |
| 50+ | 1,620 € |
| 100+ | 1,270 € |
| 500+ | 1,100 € |
| 1000+ | 1,050 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRD3G07BATTL1
Code Commande3639760
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id70A
Résistance Drain-Source à l'état-ON5700µohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance101W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
70A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
101W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5700µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000006