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RCD051N20TL
MOSFET de puissance, Canal N, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,723 € |
| 10+ | 0,577 € |
| 100+ | 0,467 € |
| 500+ | 0,392 € |
| 1000+ | 0,382 € |
| 5000+ | 0,324 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRCD051N20TL
Code Commande2706611
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..200V
Courant de drain Id5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.54ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5.25V
Dissipation de puissance29W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
5A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
29W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tension Vds max..
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.54ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5.25V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour RCD051N20TL
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000006