Imprimer la page
R8005ANJFRGTL
MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
897 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,530 € |
| 500+ | 1,380 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
158,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantR8005ANJFRGTL
Code Commande3406516RL
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id5A
Résistance Rds(on)1.6ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON2.1ohm
Type de boîtier de transistorTO-263S
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance Pd120W
Dissipation de puissance120W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
SVHCLead (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Rds(on)
1.6ohm
Type de boîtier de transistor
TO-263S
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
120W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2.1ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance
120W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001