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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 1,250 € |
10+ | 0,854 € |
100+ | 0,611 € |
500+ | 0,498 € |
1000+ | 0,458 € |
5000+ | 0,412 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantQS8J4TR
Code Commande3407064
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N4A
Courant de drain continu Id, Canal P4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.04ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.04ohm
Type de boîtier de transistorTSMT
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P1.5W
Dissipation de puissance, Canal P1.5W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.04ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
1.5W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.04ohm
Type de boîtier de transistor
TSMT
Dissipation de puissance Canal P
1.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits