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EM6K34T2CR
MOSFET double, Canal N, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
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|---|---|
| 5+ | 0,431 € |
| 50+ | 0,265 € |
| 250+ | 0,167 € |
| 1000+ | 0,0998 € |
| 4000+ | 0,0978 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantEM6K34T2CR
Code Commande2706588
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N50V
Tension drain source Vds, Canal P50V
Courant de drain continu Id, Canal N200mA
Courant de drain continu Id, Canal P200mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N1.6ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P1.6ohm
Type de boîtier de transistorSOT-563
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P150mW
Dissipation de puissance, Canal P150mW
Température d'utilisation Max.-
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
50V
Courant de drain continu Id, Canal P
200mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
1.6ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
150mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
50V
Courant de drain continu Id, Canal N
200mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
1.6ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-563
Dissipation de puissance Canal P
150mW
Température d'utilisation Max.
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000003
Traçabilité des produits