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BSM450D12P4G102
MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Canal double N, 447 A, 1.2 kV, Module
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM450D12P4G102
Code Commande4168759
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal double N
Courant de drain Id447A
Tension Vds max..1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON-
Type de boîtier de transistorModule
Nombre de broches11Broche(s)
Tension de test Rds(on)-
Tension de seuil Vgs Max4.8V
Dissipation de puissance1.45kW
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
447A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
-
Nombre de broches
11Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.8V
Température de fonctionnement max..
150°C
SVHC
To Be Advised
Type de canal
Canal double N
Tension Vds max..
1.2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
-
Dissipation de puissance
1.45kW
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.394
Traçabilité des produits