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BSM400D12P3G002
MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Canal double N, 400 A, 1.2 kV, Module
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM400D12P3G002
Code Commande3573231
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal double N
Courant de drain Id400A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON-
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches-
Tension de test Rds(on)-
Tension de seuil Vgs Max5.6V
Dissipation de puissance1.57kW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
400A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
-
Nbre de broches
-
Tension de seuil Vgs Max
5.6V
Température d'utilisation Max.
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Type de canal
Canal double N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
-
Dissipation de puissance
1.57kW
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.28