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BSM120C12P2C201
MOSFET en carbure de silicium, Hacheur, Canal N, 134 A, 1.2 kV, Module
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM120C12P2C201
Code Commande3573216
Fiche technique
Configuration du module MOSFETHacheur
Type de canalCanal N
Courant de drain Id134A
Tension Vds max..1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON-
Type de boîtier de transistorModule
Nombre de broches-
Tension de test Rds(on)-
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance935W
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Hacheur
Courant de drain Id
134A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
-
Nombre de broches
-
Tension de seuil Vgs Max
4V
Température de fonctionnement max..
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
1.2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
-
Dissipation de puissance
935W
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.28