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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1+ | 4,100 € |
10+ | 3,110 € |
25+ | 2,870 € |
50+ | 2,640 € |
100+ | 2,380 € |
250+ | 2,260 € |
500+ | 2,190 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBD2311NVX-LBE2
Code Commande4294091
Fiche technique
Nbre de canaux1Canal(aux)
Type Driver de Grille-
Configuration Driver-
Type commutateur de puissanceGaN HEMT
Nbre de broches6Broche(s)
IC Boîtier/PaquetSSON-EP
Montage CIMontage en surface
Type d'entréeInverseur, Non inverseur
Courant Source7A
Courant Sink5A
Tension, alimentation min.4.5V
Tension d'alimentation Max.5.5V
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.125°C
Délais d'entrée3.4ns
Délais de sortie3ns
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
BD2311NVX-LBE2 is a single-channel ultra-fast gate driver. It is a single gate driver capable of driving GaN HEMTs at Ultra-Fast with narrow pulses, which can contribute to the long-range and high accuracy of LiDAR. As a protection function, the driver includes an Undervoltage lockout (UVLO) between VCC and GND. Application includes industrial equipment, industrial LiDAR, DC / DC converters, industrial detection sensors, and augmented reality.
- Gate driver voltage range from 4.5V to 5.5V
- 7A / 5A typical output current IOH / IOL
- Minimum input pulse width is 1.25ns (0 ohm series 220pF load, Tj = -40 to +125°C)
- 7A typical peak source current (Tj = -40 to +125°C)
- Turn-on propagation delay time is 3.4ms typical (100pF load, Tj = -40 to +125°C)
- Turn-off propagation delay time is 3ms typical (100pF load, Tj = -40 to +125°C)
- VCC operating current is 38.7mA (30MHz (50% duty), 2ohm as ROUTH and ROUTL, 100pF load)
- SSON06RX2020 package, operating temperature range from -40°C to +125°C
Spécifications techniques
Nbre de canaux
1Canal(aux)
Configuration Driver
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Montage CI
Montage en surface
Courant Source
7A
Tension, alimentation min.
4.5V
Température d'utilisation min
-40°C
Délais d'entrée
3.4ns
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Type Driver de Grille
-
Type commutateur de puissance
GaN HEMT
IC Boîtier/Paquet
SSON-EP
Type d'entrée
Inverseur, Non inverseur
Courant Sink
5A
Tension d'alimentation Max.
5.5V
Température d'utilisation Max.
125°C
Délais de sortie
3ns
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000007