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TP65H035G4YS
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Traversant
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H035G4YS
Code Commande4680953
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
1 184 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 23,490 € |
| 5+ | 20,140 € |
| 10+ | 16,790 € |
| 50+ | 15,360 € |
| 100+ | 13,930 € |
| 250+ | 13,640 € |
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H035G4YS
Code Commande4680953
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id46.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.041ohm
Charge de porte Typique42.7nC
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Nbre de broches4Broche(s)
Gamme de produitSuperGaN Series
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
TP65H035G4YS is a 650V, 35mohm gallium nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’s Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. It is ideal for datacom, broad industrial, PV inverter and servo motor applications.
- JEDEC qualified GaN technology
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Robust design featuring a wide gate safety margin and transient over-voltage capability
- Enhanced inrush current capability and reduced crossover loss
- Enables AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly-used gate drivers
- GSD pin layout improves high speed design
- Available in 4 pin TO-247 package
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.041ohm
Type de boîtier de transistor
TO-247
Nbre de broches
4Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
46.5A
Charge de porte Typique
42.7nC
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits