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RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 250 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 800+ | 2,500 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 800
Multiple: 800
2 000,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantRBA250N10CHPF-4UA02#GB0
Code Commande4307184
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id250A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2400µohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.8V
Dissipation de puissance348W
Nbre de broches7Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
250A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
348W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2400µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.8V
Nbre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits