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AQY412EH
Relais MOSFET, SPST-NC (1 Forme B), AC / DC, 60 V, 550 mA, DIP-4, Traversant
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FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQY412EH
Code Commande3588796
Gamme de produitPhotoMOS AQY41
Fiche technique
219 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,210 € |
| 5+ | 3,980 € |
| 10+ | 3,750 € |
| 20+ | 3,610 € |
| 50+ | 3,460 € |
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQY412EH
Code Commande3588796
Gamme de produitPhotoMOS AQY41
Fiche technique
Configuration des contactsSPST-NC
Forme de contactSPST-NC (1 Forme B)
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.60V
Courant, charge550mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-4
Montage relaisTraversant
Bornes de relaisBroche PC
Courant, direct, If50mA
Résistance On State Max.2.5ohm
Tension, isolation5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.10µA
Gamme de produitPhotoMOS AQY41
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Configuration des contacts
SPST-NC
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
550mA
Montage relais
Traversant
Courant, direct, If
50mA
Tension, isolation
5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
10µA
SVHC
To Be Advised
Forme de contact
SPST-NC (1 Forme B)
Tension de charge Max.
60V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-4
Bornes de relais
Broche PC
Résistance On State Max.
2.5ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQY41
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364110
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001315