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AQW224NA
Relais MOSFET, DPST-NO (2 Forme A), AC / DC, 400 V, 40 mA, DIP-8, Montage en surface
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FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQW224NA
Code Commande3588689
Gamme de produitPhotoMOS AQW22
Fiche technique
12 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,530 € |
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQW224NA
Code Commande3588689
Gamme de produitPhotoMOS AQW22
Fiche technique
Forme de contactDPST-NO (2 Forme A)
Configuration des contactsDPST-NO
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.400V
Courant, charge40mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-8
Montage relaisMontage en surface
Bornes de relaisGull Wing
Courant, direct, If50mA
Résistance On State Max.100ohm
Tension, isolation1.5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.10nA
Gamme de produitPhotoMOS AQW22
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Forme de contact
DPST-NO (2 Forme A)
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
40mA
Montage relais
Montage en surface
Courant, direct, If
50mA
Tension, isolation
1.5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
10nA
SVHC
To Be Advised
Configuration des contacts
DPST-NO
Tension de charge Max.
400V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-8
Bornes de relais
Gull Wing
Résistance On State Max.
100ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQW22
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001179