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AQV252A
Relais MOSFET, SPST-NO (1 Forme A), AC / DC, 60 V, 400 mA, DIP-6, Montage en surface
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FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQV252A
Code Commande3588628
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
Fiche technique
15 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,570 € |
| 5+ | 5,270 € |
| 10+ | 4,970 € |
| 20+ | 4,780 € |
| 50+ | 4,580 € |
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQV252A
Code Commande3588628
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
Fiche technique
Forme de contactSPST-NO (1 Forme A)
Configuration des contactsSPST-NO
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.60V
Courant, charge400mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-6
Montage relaisMontage en surface
Bornes de relaisGull Wing
Courant, direct, If50mA
Résistance On State Max.1.4ohm
Tension, isolation1.5kV
Type de capacité d'E/S1.3pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Forme de contact
SPST-NO (1 Forme A)
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
400mA
Montage relais
Montage en surface
Courant, direct, If
50mA
Tension, isolation
1.5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Configuration des contacts
SPST-NO
Tension de charge Max.
60V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-6
Bornes de relais
Gull Wing
Résistance On State Max.
1.4ohm
Type de capacité d'E/S
1.3pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQV25
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000864
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