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FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQV251G
Code Commande3588627
Gamme de produitPhotoMOS AQV251G
Fiche technique
33 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 5,260 € |
5+ | 4,980 € |
10+ | 4,690 € |
20+ | 4,510 € |
50+ | 4,320 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
5,26 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQV251G
Code Commande3588627
Gamme de produitPhotoMOS AQV251G
Fiche technique
Forme de contactSPST-NO (1 Forme A)
Configuration des contactsSPST-NO
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.30V
Courant, charge3.5A
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-6
Montage relaisTraversant
Courant, direct, If50mA
Bornes de relaisBroche PC
Résistance On State Max.0.08ohm
Tension, isolation1.5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitPhotoMOS AQV251G
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Forme de contact
SPST-NO (1 Forme A)
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
3.5A
Montage relais
Traversant
Bornes de relais
Broche PC
Tension, isolation
1.5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Configuration des contacts
SPST-NO
Tension de charge Max.
30V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-6
Courant, direct, If
50mA
Résistance On State Max.
0.08ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQV251G
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004