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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ4C075023L8S
Code Commande4750199
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
manifestez votre intérêt ici
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 17,790 € |
5+ | 16,740 € |
10+ | 15,680 € |
50+ | 15,670 € |
100+ | 12,580 € |
250+ | 12,330 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
17,79 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ4C075023L8S
Code Commande4750199
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id64A
Tension Drain-Source Vds750V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.029ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Tension de test Rds(on)12V
Tension de seuil Vgs Max6V
Dissipation de puissance278W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
64A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.029ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
6V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
750V
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
12V
Dissipation de puissance
278W
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits