Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH350N100H4Q2F2P1G
Code Commande3929806
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 159,190 € |
5+ | 156,010 € |
10+ | 152,820 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
159,19 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH350N100H4Q2F2P1G
Code Commande3929806
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration IGBTPaquet de quatre
Courant Collecteur Continu303A
Courant de collecteur DC303A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.63V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.63V
Dissipation de puissance Pd592W
Dissipation de puissance592W
Température d'utilisation Max.175°C
Température de jonction Tj Max.175°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max1kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1kV
Technologie IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Paquet de quatre
Courant de collecteur DC
303A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.63V
Dissipation de puissance
592W
Température de jonction Tj Max.
175°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant Collecteur Continu
303A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.63V
Dissipation de puissance Pd
592W
Température d'utilisation Max.
175°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1kV
Technologie IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.09
Traçabilité des produits