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NXH200B100H4F2SG
Module IGBT, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH200B100H4F2SG
Code Commande3929803
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
10 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 107,720 € |
| 5+ | 103,300 € |
| 10+ | 98,870 € |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH200B100H4F2SG
Code Commande3929803
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration IGBTPIM
Courant Collecteur Continu100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.8V
Dissipation de puissance93W
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTA souder Mâle
Tension Collecteur Emetteur Max1kV
Technologie IGBTIGBT 6 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
PIM
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.8V
Température de fonctionnement max..
150°C
Borne IGBT
A souder Mâle
Technologie IGBT
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
EliteSiC Series
Courant Collecteur Continu
100A
Dissipation de puissance
93W
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.09