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Quantité | Prix (hors TVA) |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS6H801NT1G
Code Commande3388929
Fiche technique
Type de canalN Channel
Tension Vds max..80V
Courant de drain Id157A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0023ohm
Type de boîtier de transistorDFN
Montage transistorSurface Mount
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance166W
Nombre de broches5Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Courant de drain Id
157A
Type de boîtier de transistor
DFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
166W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Vds max..
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0023ohm
Montage transistor
Surface Mount
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000156
Traçabilité des produits