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NVHL020N090SC1
MOSFET en carbure de silicium, EliteSiC, Simple, Canal N, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL020N090SC1
Code Commande3367865
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 450+ | 20,720 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 450
Multiple: 450
9 324,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL020N090SC1
Code Commande3367865
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id118A
Tension Drain-Source Vds900V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance503W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
Aperçu du produit
NVHL020N090SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET.
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 20mohm typical at (VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 196nC typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A)
- Output capacitance is 296pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 450V)
- Gate resistance is 1.6 ohm typical at (f = 1MHz, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 40ns typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 63ns typical at (VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5 ohm)
- Drain-to-source breakdown voltage is 900V minimum at (VGS = 0V, ID = 1mA)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C
- 3-lead TO-247 package
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
118A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Nbre de broches
3Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
900V
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
503W
Gamme de produit
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits