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NVBG095N65S3F
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 36 A, 0.095 ohm, TO-263HV (D2PAK), Montage en surface
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG095N65S3F
Code Commande4317976RL
Gamme de produitSUPERFET III Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,600 € |
| 5+ | 5,750 € |
| 10+ | 4,900 € |
| 50+ | 4,430 € |
| 100+ | 3,950 € |
| 250+ | 3,870 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG095N65S3F
Code Commande4317976RL
Gamme de produitSUPERFET III Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id36A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.095ohm
Type de boîtier de transistorTO-263HV (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance272W
Nbre de broches7Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSUPERFET III Series
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
36A
Type de boîtier de transistor
TO-263HV (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
272W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.095ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
SUPERFET III Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001