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NTZD3154NT1G
MOSFET double, Canal N, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 4000+ | 0,0715 € |
| 12000+ | 0,0648 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 4000
Multiple: 4000
286,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTZD3154NT1G
Code Commande2442271
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension drain source Vds, Canal P20V
Courant de drain continu Id, Canal N540mA
Courant de drain continu Id, Canal P540mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.4ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.4ohm
Type de boîtier de transistorSOT-563
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P250mW
Dissipation de puissance, Canal P250mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The NTZD3154NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for cell phones, digital cameras, PDAs and pagers etc. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits and battery management applications.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- Small footprint
- ESD protected gate
- Halogen-free
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
20V
Courant de drain continu Id, Canal P
540mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.4ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
250mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
540mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.4ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-563
Dissipation de puissance Canal P
250mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTZD3154NT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454