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NTZD3154NT1G
MOSFET double, Canal N, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,428 € |
| 10+ | 0,263 € |
| 100+ | 0,120 € |
| 500+ | 0,110 € |
| 1000+ | 0,0929 € |
| 5000+ | 0,0657 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTZD3154NT1G
Code Commande2533209
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension drain source Vds, Canal P20V
Courant de drain continu Id, Canal N540mA
Courant de drain continu Id, Canal P540mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.4ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.4ohm
Type de boîtier de transistorSOT-563
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P250mW
Dissipation de puissance, Canal P250mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le NTZD3154NT1G est un MOSFET faible signal, double canal N, conçu pour les téléphones portables, les appareils photo numériques, les PDA et les téléavertisseurs, etc. Il convient aux commutateurs de charge/alimentation, aux circuits de conversion d'alimentation et aux applications de gestion de batterie.
- Faible RDS (ON) améliorant l'efficacité du système
- Seuil de tension bas
- Faible empreinte
- Grille avec protection ESD
- Sans halogène
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
20V
Courant de drain continu Id, Canal P
540mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.4ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
250mW
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
540mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.4ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-563
Dissipation de puissance Canal P
250mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454