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NTMFS5C612NT1G-TE
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, ÁDFN, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 10+ | 3,340 € |
| 100+ | 2,410 € |
| 500+ | 2,340 € |
| 1000+ | 2,290 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS5C612NT1G-TE
Code Commande3588873RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id230A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0014ohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance170W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
230A
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
170W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0014ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits