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NDSH20120C
Diode Schottky carbure de silicium, EliteSiC, EliteSiC Series, Une, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDSH20120C
Code Commande4036810
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
1 313 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,450 € |
| 5+ | 6,450 € |
| 10+ | 5,450 € |
| 50+ | 5,000 € |
| 100+ | 4,900 € |
| 250+ | 4,800 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDSH20120C
Code Commande4036810
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Gamme de produitEliteSiC Series
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen20A
Charge Capacitive Totale100nC
Type de boîtier de diodeTO-247
Nbre de broches2 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
Spécifications techniques
Gamme de produit
EliteSiC Series
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
100nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
20A
Type de boîtier de diode
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits