MMUN2211LT1G

Les MMUN2211LT1G de On Semiconductor sont des transistors numériques NPN dans un boîtier 3 broches SOT-23 (TO-236). Le transistor numérique est conçu pour remplacer un seul composant et son réseau de polarisation de résistance externe. Le transistor de résistance de polarisation (BRT) contient un seul transistor avec un réseau de polarisation monolithique composé de deux résistances, une résistance de base en série et une résistance d’émetteur de base. Le BRT élimine ces composants individuels en les intégrant dans un seul composant. L'utilisation d'un BRT peut réduire à la fois les coûts système et l'espace sur la carte.

• Simplifie la conception du circuit
• Espace de carte compact
• Nombre de composants réduit
• Qualification AEC-Q101
• La résistance d'entrée de base est 10Kohms
• La résistance de l'émetteur de base est 10kohms
• Tension Collecteur Emetteur VCEO de 50VDC
• Courant de collecteur continu de 100mAdc