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MMBF4391LT1G
Transistor JFET, -30 V, 150 mA, -10 V, SOT-23, 3 broches, 150 °C
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|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBF4391LT1G
Code Commande2442045
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.-30V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.150mA
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min50mA
Tension de coupure Source Grille max.-10V
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.150°C
Type de transistorJFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
-30V
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min
50mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
150mA
Tension de coupure Source Grille max.
-10V
Nbre de broches
3 broches
Type de transistor
JFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits