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MJD112-1G
Transistor Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Broche(s)
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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 2475+ | 0,424 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 2475
Multiple: 2475
1 049,40 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD112-1G
Code Commande2727978
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd20W
Courant de collecteur DC2A
Boîtier de transistor RFTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE12000hFE
Montage transistorTraversant
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
20W
Boîtier de transistor RF
TO-252 (DPAK)
Gain en courant DC hFE
12000hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
2A
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454
Traçabilité des produits