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HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Broche(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 2500+ | 0,558 € |
| 7500+ | 0,557 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 395,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHGTD1N120BNS9A
Code Commande4338955
Fiche technique
Courant Collecteur Continu5.3A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2.5V
Dissipation de puissance60W
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Type de boîtier de transistorTO-252AA
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
5.3A
Dissipation de puissance
60W
Type de boîtier de transistor
TO-252AA
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2.5V
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00026
Traçabilité des produits