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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQU8P10TU
Code Commande3368837
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id6.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.41ohm
Type de boîtier de transistorTO-251
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance44W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
6.6A
Type de boîtier de transistor
TO-251
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
44W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.41ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000907
Traçabilité des produits