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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQPF5N40
Code Commande3003934
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..400V
Courant de drain Id3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.27ohm
Type de boîtier de transistorTO-220F
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance35W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3A
Type de boîtier de transistor
TO-220F
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
35W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Vds max..
400V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.27ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005