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FFSP1065B
Diode Schottky carbure de silicium, EliteSiC, EliteSiC Series, Une, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-220
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSP1065B
Code Commande3265438
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
766 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,080 € |
| 10+ | 2,250 € |
| 100+ | 1,640 € |
| 500+ | 1,320 € |
| 1000+ | 1,290 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSP1065B
Code Commande3265438
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Gamme de produitEliteSiC Series
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen10A
Charge Capacitive Totale25nC
Type de boîtier de diodeTO-220
Nbre de broches2 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Gamme de produit
EliteSiC Series
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
25nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
10A
Type de boîtier de diode
TO-220
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Switzerland
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Switzerland
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001814