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FDS6612A
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6612A
Code Commande4319634
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id8.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.022ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.9V
Dissipation de puissance2.5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
8.4A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.022ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.9V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000127
Traçabilité des produits