FDMS6681Z

Le FDMS6681Z est un MOSFET PowerTrench®, canal P de -30V. Il est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir une charge de grille faible pour des performances de commutation supérieures. Le MOSFET de puissance moyenne tension de Fairchild est constitué d'interrupteurs de puissance optimisés combinant une charge de grille faible (QG), une faible charge de récupération inverse (Qrr) et une diode souple de récupération inverse, permettant une commutation synchrone dans les alimentations AC/DC. Il utilise une structure à grille blindée qui fournit un équilibre de charge. En utilisant cette technologie de pointe, le FOM (facteur de mérite (QGxRDS (ON) de ces composants est de 66% inférieur à celui de la génération précédente. La performance des diodes du nouveau MOSFET PowerTrench® permet d'éliminer le circuit d'amortissement ou de remplacer les circuits qui ont besoin d'une tension MOSFET plus élevée car il peut minimiser les pointes de tension indésirables.

• Niveau de protection ESD HBM de 8kV typique