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FCPF150N65F
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220F, Traversant
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCPF150N65F
Code Commande2610666
Gamme de produitSuperFET II FRFET
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1000+ | 2,330 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1000
Multiple: 1000
2 330,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCPF150N65F
Code Commande2610666
Gamme de produitSuperFET II FRFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id24A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.133ohm
Type de boîtier de transistorTO-220F
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance39W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSuperFET II FRFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
24A
Type de boîtier de transistor
TO-220F
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
39W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.133ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
SuperFET II FRFET
MSL
-
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits