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TF412ST5G
Transistor JFET, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 broches, 150 °C
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,410 € |
| 10+ | 0,287 € |
| 100+ | 0,185 € |
| 500+ | 0,139 € |
| 1000+ | 0,112 € |
| 5000+ | 0,0792 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantTF412ST5G
Code Commande2473421
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.-30V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.3mA
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min1.2mA
Tension de coupure Source Grille max.-1.5V
Type de boîtier de transistorSOT-883
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.150°C
Type de transistorJFET
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
-30V
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min
1.2mA
Type de boîtier de transistor
SOT-883
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
3mA
Tension de coupure Source Grille max.
-1.5V
Nbre de broches
3 broches
Type de transistor
JFET
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000079
Traçabilité des produits